Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva
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Mesa Rodríguez, F. G., & Arredondo Orozco, C. A. (2010). Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva. Avances Investigación En Ingeniería, 1(13), 15–19. Recuperado a partir de https://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/2681

Resumen

La investigación del presente trabajo muestraque el parámetro de mayor influencia sobre lafigura de mérito de películas delgadas de ZnOdepositadas por el método de evaporaciónreactiva, es el contenido de oxigeno en la cámarade preparación. Se establece que la mejor figurade mérito está definida en términos de resistividady de transmitancia espectral, con contenido deoxigeno correspondiente a una presión parcial de0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamentealta transmisión (>80%) y conductividad (>103W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contactoeléctrico transparente en celdas solares. El especialénfasis esta dedicado a la determinación de laresistividad eléctrica y concentración de portadoresde carga a través del método de van der Pauw.

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Citas

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