Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva
Fredy Giovanni Mesa Rodríguez
Carlos Andrés Arredondo Orozco
Universidad Nacional
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Palabras clave

ZnO
thin films
reactive evaporation
Hall effect
electrical resistivity
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Resumen

La investigación del presente trabajo muestra que el parámetro de mayor influencia sobre la figura de mérito de películas delgadas de ZnO depositadas por el método de evaporación reactiva, es el contenido de oxigeno en la cámara de preparación. Se establece que la mejor figura de mérito está definida en términos de resistividad y de transmitancia espectral, con contenido de oxigeno correspondiente a una presión parcial de 0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamente alta transmisión (>80%) y conductividad (>103 W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contacto eléctrico transparente en celdas solares. El especial énfasis esta dedicado a la determinación de la resistividad eléctrica y concentración de portadores de carga a través del método de van der Pauw.

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