Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva

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Fredy Giovanni Mesa Rodríguez Carlos Andrés Arredondo Orozco

Resumen

La investigación del presente trabajo muestra que el parámetro de mayor influencia sobre la figura de mérito de películas delgadas de ZnO depositadas por el método de evaporación reactiva, es el contenido de oxigeno en la cámara de preparación. Se establece que la mejor figura de mérito está definida en términos de resistividad y de transmitancia espectral, con contenido de oxigeno correspondiente a una presión parcial de 0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamente alta transmisión (>80%) y conductividad (>103 W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contacto eléctrico transparente en celdas solares. El especial énfasis esta dedicado a la determinación de la resistividad eléctrica y concentración de portadores de carga a través del método de van der Pauw.

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Como Citar
MESA RODRÍGUEZ, Fredy Giovanni; ARREDONDO OROZCO, Carlos Andrés. Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva. AVANCES <BR>Investigación en Ingeniería, [S.l.], v. 13, n. 1, p. 15-19, july 2017. ISSN 2619-6581. Disponible en: <http://revistas.unilibre.edu.co/index.php/avances/article/view/337>. Fecha de acceso: 24 feb. 2018 doi: https://doi.org/10.18041/1794-4953/avances.1.337.
Sección
Artículos